Nowe pamięci od Intela

Na IDF Intel ogłosił rozpoczęcie dostaw pierwszych partii pamięci NOR flash Multi-Level Cell wykonanych w 65 nm. Obecnie dostępne są one w modułach 1 Gb. Działają one z prędkością 133 MHz, a zasilane są napięciem 1,8 V. Prędkość zapisu dochodzi do jednego megabajta na sekundę. Kostki kompatybilne są z architekturą swoich poprzedników, a więc nie będą potrzebne zmainy w płytkach telefonów.

Źródło: DailyTech